在Si(100)上以AlN作过渡层低温外延生长ZnO薄膜

摘要：

采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)上成功生长了高度c轴取向的AlN薄膜,并以此为衬底,实现了ZnO薄膜的低温准外延生长.通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及荧光分光光度计表征ZnO薄膜的结构、表面形貌和发光性能.结果表明,ZnO薄膜能在AlN过渡层上沿c轴准外延生长,采用AlN过渡层后,其荧光强度也有大幅提高.

关键词：氧化锌薄膜、外延生长、过渡层、光致发光

所属期刊栏目：34

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：上海市纳米科技专项基金0352nm009

在线出版日期：2006-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1132-1136