AlN/Si(100)上CVD SiC薄膜的光致发光谱

摘要：

本工作用化学气相淀积方法在AlN/Si(100)复合衬底上生长SiC薄膜.外延生长过程中,采用C4H4和SiH4作为反应气源,H2作为载气.样品的X-射线衍射谱和拉曼散射谱显示,所得到的外延层为六角对称的SiC薄膜.俄歇电子能谱及X-射线光电子能谱的测量结果表明,在外延膜中存在来自衬底的Al和N元素.样品的光致发光测量显示,所有的样品均可在室温下观察到位于3.03eV和3.17eV处的发光峰,这分别相应于4H-SiC能带中电子从导带到Al受主能级之间的辐射跃迁和电子从N施主能级到价带之间的辐射跃迁,从而表明所得的外延薄膜的多形体为4H-SiC.

关键词：CVD、4H-SiC、光致发光

所属期刊栏目：34

分类号：O782(晶体生长)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2000068305

在线出版日期：2006-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1126-1131