非致冷In0.53Ga0.47 As/InP红外探测器研究

摘要：

采用LPMOCVD技术生长了InGaAs红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元器件,光谱响应范围为0.90～1.70μm,在1.95V偏压下,暗电流为5.75×10-5A,在反向偏压为-5V时,电容为6.96×10-12F.探测器波段探测率为2.08×1011cmHz1/2W-1.

关键词：金属有机化学气相沉积、铟镓砷、探测器

所属期刊栏目：34

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划50132020;国家自然科学基金50372067

在线出版日期：2006-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1056-1058