在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN

摘要：

利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜.首先以TMIn作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金属In纳米点,然后在一定条件下合成生长InN薄膜.X射线衍射谱(XRD)和X射线光电子发射谱(XPS)显示适当的预淀积In不仅能够促进InN的生长,同时还能够抑制金属In在InN薄膜中的聚集.原子力显微镜(AFM)观察表明,金属In纳米点不仅增强了成核密度,而且促进了InN岛的兼并.自由能计算表明预淀积的In优先和NH3分解得到的NH与N基反应生成InN.我们认为这种优先生成的InN为接下来InN的生长提供了成核位,从而促进了InN的生长.

关键词：InN、预淀积In纳米点、MOCVD

所属期刊栏目：34

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：科技部科研项目G2000068305;国家科技攻关项目2001AA311110;2003AA311060;2004AA311080;中国科学院资助项目69976014;69806006;69987001;6039072;60476030;国家自然科学基金60025411;江苏省自然科学基金BK2003203

在线出版日期：2006-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1050-1055