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10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.008

4H-SiC同质外延生长及Ti/4H-SiC肖特基二极管

引用
利用台阶控制外延生长技术在偏晶向Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm、载流子浓度为2~5×1015cm-3的外延材料上制备出了反向阻塞电压大于1kV的Ti/4H-SiC肖特基二极管,二极管的正向与反向电流的整流比(定义偏压为±1V时的电流比值)在室温下超过107,在265℃的温度下超过102,在20~265℃的温度范围内,利用电流电压测量研究了二极管的电学特性,室温下二极管的理想因子和势垒高度分别为1.33和0.905eV,开态电流密度在2.0V的偏压下达到150A/cm2,比开态电阻(Ron)为7.9mΩ·cm2,与温度的关系遵守Ron~T2.0规律.

4H-SiC、同质外延生长、肖特基二极管

34

TN304(半导体技术)

2006-03-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

1006-1010

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人工晶体学报

1000-985X

11-2637/O7

34

2005,34(6)

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