高压13.56MHz PECVD法沉积器件质量级本征微晶硅材料

摘要：

本文国内首次报道了采用高压RF-PECVD技术沉积本征微晶硅材料的结果.实验表明,增大等离子体激发功率和减小硅烷浓度都能够使薄膜材料由非晶硅逐渐向微晶硅转变,而结构上的改变使得电学特性也随之改变.通过工艺参数的优化和纯化器的使用,有效地控制了氧的掺杂,在较高的生长速度下得到了器件质量级的本征微晶硅材料.将实验得到的微晶硅作为太阳电池光吸收层,在没有ZnO背电极和没有优化窗口层材料以及p/i界面时,电池的效率达到5.22%,这进一步表明本征微晶硅材料的良好性能.

关键词：微晶硅、太阳电池、高压、氧施主掺杂

所属期刊栏目：34

分类号：TK51(特殊热能及其机械)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2000028202;G2000028203;教育部重点项目02167;Open Project of Key Laboratory of Opto-electronic Information Science and Technology, Ministry of Education2005-18;南开大学校科研和教改项目J02033

在线出版日期：2006-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：999-1005