MEMS用Si台面及SiO2/Si衬底上3C-SiC的LPCVD生长

摘要：

本文报道用在Si台面及热氧化SiO2衬底上3C-SiC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为SiH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-SiC材料进行了测试与分析,结果表明在3C-SiC和SiO2之间没有明显的坑洞形成.

关键词：3C-SiC、LPCVD生长、Si台面、SiO2/Si

所属期刊栏目：34

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G20000683

在线出版日期：2006-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：982-985,976