10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.005
MEMS用Si台面及SiO2/Si衬底上3C-SiC的LPCVD生长
本文报道用在Si台面及热氧化SiO2衬底上3C-SiC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为SiH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-SiC材料进行了测试与分析,结果表明在3C-SiC和SiO2之间没有明显的坑洞形成.
3C-SiC、LPCVD生长、Si台面、SiO2/Si
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TN304(半导体技术)
国家重点基础研究发展计划973计划G20000683
2006-03-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
982-985,976