纳米Ge薄膜的制备及光致发光特性研究

摘要：

采用直流磁控溅射技术在不同生长温度制备了一系列的Ge薄膜.应用拉曼散射、X射线衍射、光致发光等技术表征薄膜的结构.结果表明:Ge薄膜的结晶温度约为380℃,并且随着生长温度的升高,Ge的结晶性变好,晶粒长大;对不同尺寸Ge薄膜的光致发光研究表明:随着纳米Ge晶粒尺寸的减小,光致发光峰的相对强度逐渐增强,且发光峰位发生蓝移.用有效质量近似模型讨论了量子尺寸效应和介电限域效应对纳米Ge颗粒发光特性的影响.

关键词：磁控溅射、纳米Ge薄膜、拉曼散射、X射线衍射、光致发光

所属期刊栏目：34

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：云南省科技计划2001G06;中国科学院资助项目60567001

在线出版日期：2006-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：963-967