掺杂LiNbO3晶体的生长缺陷与其体全息存储性能的研究

摘要：

本文叙述了利用侵蚀法研究掺杂LiNbO3的晶体缺陷,并讨论了晶体缺陷的形成机理以及其与体全息存储性能的关系.通过实验发现了常温下侵蚀铌酸锂晶体的规律,并利用侵蚀法观测到铌酸锂晶体样品表面呈三角锥状的位错侵蚀坑.测量了晶体样品的散射噪声,从中找出了晶体缺陷与存储图像质量关系.并发现掺Zn的Fe:LiNbO3晶体其晶体缺陷减少,晶体体全息存储性能有了明显提高.

关键词：铌酸锂晶体、位错缺陷、侵蚀观测法、散射噪声、体全息存储

所属期刊栏目：34

分类号：O77(晶体缺陷)

资助基金：国家自然科学基金69977005;北京市教委科技发展计划项目05006012200201

在线出版日期：2005-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：865-869