10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.020
Ce3+:YAG晶体位错的研究
本文报导了用中频感应加热提拉法生长Ce3+:YAG晶体,直径达45mm.对样品采用不同的化学试剂进行了时间不等的腐蚀,用偏光显微镜观察到不同形貌的位错蚀坑,分析了位错与晶体结构及生长工艺参数等因素之间的关系.
Ce3+:YAG晶体、提拉法、缺陷、位错、无机闪烁晶体
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O771(晶体缺陷)
国家自然科学基金50472104
2005-12-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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