SiC晶体PVT生长系统的流体力学模型及其有限元分析

摘要：

本文根据SiC晶体PVT生长炉的实际提出了生长系统温度场计算的流体力学模型,采用有限元法分析了生长腔内的热传导、辐射和对流对生长腔内和生长晶体中温度空间分布的影响.通过对生长腔内及生长晶体中温度瞬态和稳态分布的分析,得出在加热的初始阶段腔内气体对流对坩埚内的温度分布有较大影响,在系统热平衡后辐射对腔内温度分布起决定作用的结论.

关键词：SiC晶体、PVT法、流体力学模型、温度场

所属期刊栏目：34

分类号：O782(晶体生长)

在线出版日期：2005-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：828-832