CdZnTe晶片表面化学抛光研究

摘要：

采用不同浓度的Br2-MeOH作为抛光液对CdZnTe进行化学抛光,发现用2%Br2-MeOH腐蚀时速率平稳且易于控制,能有效去除表面划痕,获得光亮表面.AFM分析发现,抛光后表面粗糙度降低30%,平整度增加.XPS分析发现CdZnTe的(111)Cd极性面变成了富Te非极性表面.PL分析发现表面陷阱态密度降低,表面晶格的完整性增强.

关键词：CdZnTe、化学抛光、腐蚀速率、平均粗糙度、表面组成、缺陷

所属期刊栏目：34

分类号：TL816(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)

资助基金：国家自然科学基金50336040

在线出版日期：2005-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：790-793,804