等离子体增强CVD法沉积的微晶硅薄膜的微结构研究

摘要：

本文系统研究了PECVD法沉积μc-Si薄膜中衬低温度、氢气稀释率和射频功率等参数对μc-Si薄膜结构特性的影响.表明:随着衬低温度的增加、氢气稀释率的增大、射频功率的提高,薄膜的晶化率增大.沉积薄膜的晶化率最大可达80%,表面粗糙度大约为30nm.通过对反应过程中的能量变化进行了分析,得到反应为放热反应,且非晶结构对沉积参数比较敏感.

关键词：微晶硅薄膜、晶化率、等离子体增强化学气相沉积

所属期刊栏目：34

分类号：O484.1(固体物理学)

在线出版日期：2005-10-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：753-759