10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.024
透明导电氧化物β-Ga2O3 单晶生长的研究进展
本文对β-Ga2O3单晶体的研究情况进行了综合,主要介绍了β-Ga2O3单晶体的生长方法:Verneuil法、提拉法和浮区法生长技术,并简单介绍了β-Ga2O3单晶体的光学和电学性质及其在GaN衬底方面的应用.β-Ga2O3单晶体的优异性质使其可以成为新一代的透明导电材料.
透明导电材料、β-Ga2O3单晶体、浮区法、衬底
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O78(晶体生长)
中国科学院"百人计划";教育部留学回国人员科研启动基金
2005-10-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
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