Si和GaAs衬底上的ZnTe、CdTe分子束外延材料的晶向倾角

摘要：

本文采用X射线双晶衍射二次测量法对φ76mm Si(211)和GaAs(211)B衬底上生长的ZnTe和CdTe外延层的晶向倾角进行了测量,发现对于Si和GaAs衬底,外延层的[211]均绕外延层与衬底的[0-11]复合轴朝[111]倾斜,其晶向倾角与晶格失配呈线性关系;通过实际测量验证了在外延层探测到的[133]峰代表[211]关于[111]旋转180°的[255]孪晶向.

关键词：分子束外延、晶格失配、晶向倾角、孪晶

所属期刊栏目：34

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60221502

在线出版日期：2005-10-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：649-652