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10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.020

VHF-PECVD制备微晶硅薄膜及其微结构表征研究

引用
采用VHF-PECVD技术制备了系列不同衬底温度的硅薄膜.运用微区拉曼散射(Micro-Raman)和X射线衍射(XRD)对薄膜进行了结构方面的测试分析.Micro-Raman测试结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大.XRD的结果显示样品的择优取向随衬底温度的升高而变化,(220)方向计算得出样品的晶粒尺寸逐渐变大.

甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)、微晶硅、衬底温度

34

TK514(特殊热能及其机械)

国家重点基础研究发展计划973计划G2000028202,G2000028203;教育部科学技术研究项目02167;国家高技术研究发展计划863计划2002303261

2005-08-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

475-478

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人工晶体学报

1000-985X

11-2637/O7

34

2005,34(3)

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