10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.019
热丝辅助MW ECR CVD技术高速沉积高质量氢化非晶硅薄膜
氢化非晶硅薄膜具有优异的光电特性,在制备薄膜太阳能电池中有重要的应用.本文采用热丝辅助MWECR CVD技术,通过调整各种工艺参数,制备了高沉积速率(DR>2.5nm/s)及高光敏性(σph/σD>105)的氢化非晶硅薄膜.实验表明,在衬底表面温度的分布中,热丝辐射和离子轰击引起的温度对薄膜的光敏性影响较大;在薄膜沉积的最后几分钟适当加大H2稀释率,有利于薄膜光电特性的改善.
氢化非晶硅、氢稀释率、电子回旋共振化学气相沉积、光敏性
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TN304(半导体技术)
国家重点基础研究发展计划973计划G2000028201-1
2005-08-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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