脉冲DT中子场中的CeF3、ST401 闪烁探测器输出比对

摘要：

本工作对国内近年新研制的CeF3用于γ测量时的抗中子干扰能力进行研究,在脉冲DT中子源场中对分别由CeF3和ST401构成的闪烁探测器输出进行比较测量.在相同测点中子注量率情况下的测量结果表明:ST401探测器的输出电荷比同体积的CeF3高10多倍;ST401探测器的电流输出峰值幅度比同体积的CeF3高30多倍.由此可得到CeF3对中子相对不灵敏,在n、γ混合辐射场中测量快γ辐射时,该无机晶体将是一种较合适的候选闪烁体.

关键词：CeF3、无机闪烁体、辐射探测、脉冲DT中子源、中子灵敏度、ST401

所属期刊栏目：34

分类号：TL812;TL816(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)

资助基金：中国工程物理研究院专项基金

在线出版日期：2005-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：380-383