10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.020
离子束溅射制备Si/Ge多层膜的结晶研究
采用离子束溅射制备Si/Ge多层膜,通过X射线小角衍射计算其周期厚度及各子层的厚度,用Raman光谱对Si/Ge多层膜的微观结构及Si子层的结构进行表征.结果表明,所制备的Si/Ge多层膜中,当Ge子层的厚度为6.2nm时,Si子层的结晶质量较好,表明适量的Ge含量有诱导Si结晶的作用.
Si/Ge多层膜、离子束溅射、拉曼光谱
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O76(晶体结构)
云南省科技攻关项目2001G06
2005-06-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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288-291