离子束溅射制备Si/Ge多层膜的结晶研究

摘要：

采用离子束溅射制备Si/Ge多层膜,通过X射线小角衍射计算其周期厚度及各子层的厚度,用Raman光谱对Si/Ge多层膜的微观结构及Si子层的结构进行表征.结果表明,所制备的Si/Ge多层膜中,当Ge子层的厚度为6.2nm时,Si子层的结晶质量较好,表明适量的Ge含量有诱导Si结晶的作用.

关键词：Si/Ge多层膜、离子束溅射、拉曼光谱

所属期刊栏目：34

分类号：O76(晶体结构)

资助基金：云南省科技攻关项目2001G06

在线出版日期：2005-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：288-291