ZnSe单晶生长及性能研究

摘要：

采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体.研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响.对生长出的单晶体进行均匀性测试表明ZnSe单晶完整性和均匀性良好.对ZnSe单晶进行光学性能测试分析表明ZnSe单晶的折射率高,吸收系数低,红外透过率大于70%.

关键词：ZnSe单晶、物理气相输运法、高压坩埚下降法、透过率

所属期刊栏目：34

分类号：O736(晶体物理)

资助基金：兵器工业总公司资助项目GDZX2003

在线出版日期：2005-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：215-218