多孔硅形成机理的逆结晶学模型

摘要：

本文概述了多孔硅形成机理和现有模型.通过观察和分析多晶多孔硅化学腐蚀机理提出了一个新模型:多孔硅形成机理的逆结晶学模型.这个模型指出多晶多孔硅均匀形貌具有自选择性,而此自选择性受结晶学原理控制.此模型的提出对研究晶体生长有用.

关键词：自选择性、对称性、逆结晶学、缺陷控制、扩散控制

所属期刊栏目：34

分类号：O76(晶体结构)

在线出版日期：2005-03-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：178-182