一族Nd:YxGd1-xVO4混晶性质比较及其调Q性能研究

摘要：

Czochralski法成功生长了一系列不同Gd/Y的低掺杂Nd:YxGd1-xVO4混晶,并对它们的一些基本性质进行了比较,发现随着Gd含量的增加,晶体晶胞a, c轴常数呈线性增长,故YVO4 和GdVO4晶体可以实现无限互溶.少量Gd掺杂可使混晶晶体比热和荧光寿命增大,并有效地增强了其荧光强度.我们对该晶体的低功率泵浦下的Cr4+:YAG调Q激光性能也进行了研究,发现Nd:YxGd1-xVO4混晶具有良好调Q性能.

关键词：Nd:YxGd1-xVO4混晶、晶体生长、性质、激光、调Q

所属期刊栏目：33

分类号：O782.5(晶体生长)

在线出版日期：2004-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：868-870,834