10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.032
紊流模型模拟分析旋转对提拉大直径单晶硅的影响
本文采用紊流模型对提拉大直径单晶硅时,对晶体旋转、坩埚旋转及二者共同作用三种情况下,熔体内的流线、等温线、氧的浓度分布、紊流粘性系数、紊动能等作了数值模拟,发现晶体的旋转能提高氧的径向均匀性,紊流粘性系数和紊动能随着坩埚转速的提高先增加后下降.晶体坩埚同时旋转时并不能有效降低紊流粘性系数,但能使子午面上的流动受到抑制,等温线更为平坦,有利于晶体生长.
直拉单晶硅、紊流模型、晶体旋转、坩埚旋转
33
O78(晶体生长)
北京工业大学校科研和教改项目JQ0105200372
2004-12-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
835-840