退火效应对MOCVD生长的ZnO薄膜的影响

摘要：

我们利用MOCVD设备在α-Al2O3衬底上生长了c轴取向的ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)对ZnO薄膜进行表征,研究了退火对ZnO薄膜光电特性影响.通过退火优化, ZnO薄膜的结晶性得到提高,晶粒尺寸变大,紫外光发射峰的强度相对变强.

关键词：MOCVD、退火、ZnO薄膜、X射线衍射、光致发光谱

所属期刊栏目：33

分类号：TN304.21(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金11250005130390

在线出版日期：2004-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：755-757