用热壁CVD法在SiC衬底上生长SiCGe合金的热场分析与设计

摘要：

采用有限元法,对热壁CVD法SiCGe合金生长炉中加热组件的感应加热和温度分布进行了研究.分析了感应线圈匝数和石墨衬托的厚度对磁矢势和温度分布的影响,获取了感应线圈数越多感应生成焦耳热越大且越均匀的结论,得出了随石墨厚度的增加升温速率而增加,相反轴向温度均匀性而变差的设计准则.模拟结果表明选取16匝线圈和10mm左右的石墨壁厚为优化的设计参数.

关键词：SiCGe、热壁CVD、感应加热、温度场、有限元

所属期刊栏目：33

分类号：TP15(自动化基础理论)

资助基金：国家自然科学基金6037601;西安理工大学校科研和教改项目

在线出版日期：2004-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：712-716