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10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.027

改善Nd:YVO4晶体光学均匀性的工艺研究

引用
以浓度分布差小和退火后光学均匀性好为目的,通过改造温场,分阶段调整生长界面、搅拌速度、提拉速度、温度、时间等工艺参数,改善了Nd:YVO4激光晶体的光学质量和光学均匀性.

Nd:YVO4晶体、浓度分布、光学质量

33

O782.5(晶体生长)

2004-06-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

241-243

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人工晶体学报

1000-985X

11-2637/O7

33

2004,33(2)

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