工艺参数对CVD ZnS沉积速率的影响

摘要：

本文报道了CVD法制备ZnS晶体的制备工艺,系统地研究了气体流量、工作气压、基板温度等主要工艺参数对沉积速率的影响规律.实验表明,随着H2S(s)/Zn摩尔流量比的增加,沉积速率逐渐增大;基板温度升高,沉积速率加快;工作气压增大,沉积速率变化不大.在本实验研究的条件下认为,采用合适的H2S(s)/Zn摩尔流量比和沉积温度,在较低的工作气压下生长晶体,能保证较稳定的沉积速率,生长出高质量的晶体.

关键词：红外材料、ZnS、CVD、沉积速率

所属期刊栏目：33

分类号：O782.9(晶体生长)

在线出版日期：2004-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：238-240