10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.025
CVD法生长ZnSe的工艺分析
采用单质Se为原料(Zn-Se-H2-Ar体系)来生长CVD ZnSe,初步分析了这种工艺的机理,并详细分析了各种工艺参数对生长ZnSe的影响.这些工艺参数包括沉积腔的温度和压力,Zn坩埚和Se坩埚的温度,各路载流气体的流量.对这些工艺参数进行调整和精确控制,并控制好Zn蒸气和Se蒸气气嘴处的ZnSe生长形态,生长出了质量良好的ZnSe多晶体,透过率超过70%.
化学气相沉积、硒化锌、工艺分析
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O782.9(晶体生长)
2004-06-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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