10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.024
AgGaS2晶体生长成核研究
本文在对红外非线性光学材料AgGaS2的DTA谱线进行分析的基础上,对AgGaS2的结晶习性进行了研究.对传统的Bridgman-Stockbarger法进行了改进,设计出新的三温区立式炉,炉内温度梯度达到生长晶体的要求.根据自发成核的几何淘汰理论,针对AgGaS2的结晶特点,设计出适宜的石英生长安瓿,形状能够满足AgGaS2晶体结晶习性的需要,成功地生长出完整性较好的尺寸达10mm×25mm的AgGaS2单晶体.
红外非线性光学材料、硫镓银、晶体生长、温度梯度、安瓿设计
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O782.4(晶体生长)
2004-06-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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