10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.022
Sol-gel法制备掺钕钛酸铅铁电薄膜
采用sol-gel法在P型Si(111)衬底上制备了Pb0.85Nd0.1TiO3(PNT) 薄膜.用X射线衍射技术研究了退火温度对薄膜结构和结晶性的影响.同时还研究了薄膜的介电、铁电和绝缘性能.结果发现在600℃下退火1h的PNT薄膜呈钙钛矿结构;在0~5V范围内,薄膜的漏电流密度小于1.00×10-5A/cm2;在±5V的偏压范围内,C-V记忆窗口宽度为2V;在零电压下,时间保持长达105~106s; 在室温100kHz下,其介电常数为31.60,介电损耗为0.12.
sol-gel法、PNT、铁电薄膜
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TB43(工业通用技术与设备)
国家自然科学基金50172031,60278036
2004-06-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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