10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.018
Sr3NbGa3Si2O14压电晶体旋光性质的研究
本文测定了紫外、可见光区新型压电晶体-Sr3NbGa3Si2O14(SNGS) 的透过率,并利用一种新方法即通过测量晶体在平行偏振系统中的透过率谱研究了其旋光性,且拟合出旋光色散曲线.此晶体属左旋单轴晶体,旋光非常大,其旋光率ρ在513nm处达到43.69°/mm.
压电材料、SNGS单晶、透过率、旋光率
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O782(晶体生长)
2004-06-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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