10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.017
以乙醇为氧源生长ZnO薄膜中温度对光谱影响的研究
本文探索了以乙醇为氧源通过MOCVD方法生长ZnO薄膜的方法,着重研究了该实验中生长温度对薄膜发光光谱的影响.我们分别在350℃、370℃、380℃、400℃和420℃温度下生长了ZnO薄膜,并对其发光光谱进行了研究.结果表明适当地提高生长温度可以使近带边发光峰蓝移,但温度过高,使得峰位红移并展宽.在380℃的生长条件下得到了较好的光谱.370℃条件下还出现了474nm的发光峰,经退火后此峰消失.
氧化锌、乙醇、MOCVD、温度、光谱
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TN304.21(半导体技术)
2004-06-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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