Mg:In:Er:LiNbO3晶体生长及波导基片光损伤的研究

摘要：

在LiNbO3中掺进MgO,In2O3,Er2O3以Czochralski技术系统生长了Mg(3mol%):In(1mol%):Er(1mol%):LiNbO3,Mg(3mol%):In(2mol%):Er(1mol%):LiNbO3,Mg(3mol%):In(3mol%):Er(1mol%):LiNbO3晶体.Mg(3mol%):In(3mol%):Er(1mol%):LiNbO3晶体荧光光谱表明4I13/2→ 4I15/2(1.53μm)易实现激光振荡.采用质子交换工艺制作Mg:In:Er:LiNbO3晶体波导基片并以m线法研究Mg:In:Er:LiNbO3晶体波导基片的光损伤.发现抗光损伤能力依次为:Mg:In(3mol%):Er:LiNbO3＞Mg:In(2mol%):Er:LiNbO3＞Mg:In(1mol%):Er:LiNbO3>Er:LiNbO3.以锂空位模型研究Mg:In:Er:LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理.

关键词：Mg:In:Er:LiNbO3晶体、波导基片、光损伤

所属期刊栏目：33

分类号：O731(晶体物理)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G19990330;国家高技术研究发展计划863计划2001AA31304

在线出版日期：2004-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：197-200