CdZnTe晶体的缺陷能级分析

摘要：

通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te (CZT)单晶体的I-T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV.由于俘获能级有较高的激活能,在常温下,价带上的载流子不会被激发,所以该晶体适用于制作室温核辐射探测器.另外还研究了CZT晶体在室温下的I-V特性,测得采用该方法生长的CZT单晶体电阻率高达5.0×1010Ω*cm,制作的核辐射探测器在室温下获得了比较好的241Am 59.5keV能谱.

关键词：CZT单晶体、I-T特性曲线、激活能、探测器、缺陷能级

所属期刊栏目：33

分类号：TN307(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60276030;高等学校博士学科点专项科研项目;四川省科技攻关项目02GG009-010

在线出版日期：2004-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：189-191