从P-a-SiC:H到P-μc-Si:H过程中材料特性的变化

摘要：

采用RF-PECVD方法,在P-a-SiC:H薄膜沉积技术基础上,通过逐步减小碳、硼的掺杂浓度,增大氢稀释率,使材料从非晶态向微晶态转变,在获得本征微晶材料之后,再逐步增大硼掺杂浓度,得到P型微晶硅薄膜材料(暗电导率为5.22×10-3S/cm,光学带隙大于2.0eV).在这个过程中可以明显观察到碳、硼抑制材料晶化的作用.

关键词：RF-PECVD、P型微晶硅、P型非晶硅碳

所属期刊栏目：33

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2000028203,G2000028202

在线出版日期：2004-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：152-155