10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.002
垂直Bridgman法变速生长Hg1-xMnxTe晶体
在固液界面迁移理论和SODCM模型(二次反扩散补偿法)的基础上,本文提出采用垂直Bridgman法变速生长Hg1-xMnxTe晶体,并从理论和实验两方面对该方法的可行性进行了验证.与传统垂直Bridgman法的对比实验结果表明,该方法可以在提高轴向组分均匀性的前提下增大抽拉速度,进而提高晶体生长速度.
HgMnTe、垂直Bridgman法、变速生长、固液界面迁移、组分均匀性
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O782(晶体生长)
国家自然科学基金50336040;国家自然科学基金59825109
2004-06-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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137-140