垂直Bridgman法变速生长Hg1-xMnxTe晶体

摘要：

在固液界面迁移理论和SODCM模型(二次反扩散补偿法)的基础上,本文提出采用垂直Bridgman法变速生长Hg1-xMnxTe晶体,并从理论和实验两方面对该方法的可行性进行了验证.与传统垂直Bridgman法的对比实验结果表明,该方法可以在提高轴向组分均匀性的前提下增大抽拉速度,进而提高晶体生长速度.

关键词：HgMnTe、垂直Bridgman法、变速生长、固液界面迁移、组分均匀性

所属期刊栏目：33

分类号：O782(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金50336040;国家自然科学基金59825109

在线出版日期：2004-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：137-140