三温区坩埚下降法生长硫镓银晶体

摘要：

本文通过对硫镓银单晶生长习性的分析研究,设计组装了三温区单晶炉,采用三温区坩埚下降法生长出了外形完整、无裂纹的AgGaS2单晶体,尺寸达10mm×25mm.实验测定了AgGaS2晶体的差热分析曲线和红外透射谱,以及单晶{112}解理面的X射线衍射谱,结果表明生长晶体的质量较高.

关键词：硫镓银、单晶体、三温区、坩埚下降法

所属期刊栏目：32

分类号：O781;O739(晶体生长)

资助基金：四川省应用基础研究计划99-479

在线出版日期：2003-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：324-328