Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤性能的研究

摘要：

在LiNbO3中掺进ZnO和In2O3以Czochralski技术生长Zn∶In∶LiNbO3晶体.采用光斑畸变法测试Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力.Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高二个数量级.测试晶体的红外光谱,Zn∶In∶LiNbO3晶体吸收峰的位置相对LiNbO3晶体发生紫移,且随着Zn2+和In3+浓度增加紫移程度增加.晶体的倍频性能(相位匹配温度和倍频转换效率)研究表明:Zn∶In∶LiNbO3晶体相位匹配温度在室温附近.并研究了Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤机理和OH-吸收峰紫移的机理.

关键词：Zn∶In∶LiNbO3晶体、光损伤、倍频性能

所属期刊栏目：32

分类号：O734(晶体物理)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划863 2001AA31304;国家重点基础研究发展计划973计划973 G19990330;黑龙江省科学技术计划A01-03

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：247-251