合成GaP纳米晶过程的关键影响因素

摘要：

本文系统研究了在有机溶剂中常压合成GaP纳米晶过程中反应温度、反应时间、反应体系的均匀性和原料的比例等关键影响因素.GaP纳米晶的产率、形貌以及平均粒度随着这些关键因素的改变有很大的不同.制备的GaP纳米晶用X射线衍射仪和透射电镜进行了表征.发现了最优化的合成工艺条件,实现了GaP纳米晶的高产率(达85%)制备,而且形貌和粒度可以根据需要进行调控.

关键词：磷化镓、纳米晶、纳米棒、X射线衍射、关键因素

所属期刊栏目：32

分类号：O766;O782.9(晶体结构)

资助基金：国家自然科学基金90101016,90206043;国家高技术研究发展计划863计划;教育部高校骨干教师资助计划;山东省科技攻关项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：224-227