10.3969/j.issn.1000-985X.2003.02.016
CZ法生长参数对TeO2晶体质量的影响
本文主要讨论CZ法生长TeO2晶体中温度梯度、拉速、转速等工艺参数对晶体质量的影响,分析了晶体开裂、包裹物等宏观缺陷以及位错等微观缺陷的形成机理.从晶体形态、包裹体和位错密度变化等方面探讨了晶体生长参数与晶体缺陷之间的内在关系.
氧化碲晶体、CZ法、工艺参数、晶体缺陷
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O782.5(晶体生长)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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