10.3969/j.issn.1000-985X.2003.01.009
优质DKDP晶体的点状籽晶生长及其表征研究
本文在研究DKDP溶液稳定性的基础上,采用Z切点状籽晶(5mm×5mm×3mm)生长了多块DKDP晶体,在250ml和1000ml生长瓶中分别获得了在[100]和[001]向生长速度可达到3mm/d和4.5 mm/d的点状籽晶生长优质DKDP晶体的生长条件.通过等离子体发射光谱(ICP)和紫外可见光谱分析发现DKDP晶体柱面的金属离子含量比锥面高,柱面的紫外可见吸收比锥面大.性能测试结果表明,点状籽晶全方位生长的DKDP晶体的激光损伤阈值约为5GW/cm2、半波电压约为4kV、动态消光比约为1600∶1,发现与传统方法生长晶体的性能没有明显的差别.
溶液稳定性、DKDP晶体、晶体生长、点状籽晶、晶体性能
32
O782.1(晶体生长)
北京市教委科技发展计划项目01KJ-012;北京市自然科学基金2032005
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
35-40