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10.3969/j.issn.1000-985X.2002.06.010

La3Ga5SiO14单晶的生长、性能及SAW应用

引用
本文综述了新型压电晶体La3Ga5SiO14的最新研究进展,详细讨论了该晶体的生长问题,简单介绍了该晶体的性能及其在SAW和BAW方面的应用,分析了该晶体在压电应用方面的优势.

La3Ga5SiO14、Czochralski、LPE、晶体生长、压电性能、声表面波

31

O782(晶体生长)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

559-564

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1000-985X

11-2637/O7

31

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