10.3969/j.issn.1000-985X.2002.02.010
β′-Gd2(MoO4)3晶体生长中的过冷现象研究
对电阻加热引上法和感应加热引上法生长β′-Gd2(MoO4)3晶体的实验结果进行了比较,分析了两种方法生长晶体过程中熔体过冷和组分过冷的情况.研究认为组分过冷主要与生长过程中MoO3的挥发、Gd2(MoO4)3熔体的粘度及固液界面的温度梯度有关,并认为感应加热引上法较之电阻加热引上法容易得到优质晶体.
电阻加热引上法、感应加热引上法、熔体过冷、组分过冷
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O781(晶体生长)
国家自然科学基金69878030
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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