10.3969/j.issn.1000-985X.2002.02.008
用化学气相沉积(CVD)法制备硫化锌(ZnS)体块材料中晶体缺陷和生长工艺的研究
本文报道了用化学气相沉积(CVD)法制备高质量红外光学体块材料硫化锌(ZnS)的制备工艺,研究了晶体缺陷对其光学性能的影响.XRD,XEM及IR表明,采用优化的沉积工艺和热等静压后处理,减少晶体中杂质、微孔、六方结构ZnS及Zn-H键的形成,使生长的CVD ZnS具有高的红外透过率,提高了材料的光学品质.
化学气相沉积法、硫化锌、缺陷、热等静压、红外透过率
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O77(晶体缺陷)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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