10.3969/j.issn.1000-985X.2002.02.002
高温闪烁晶体Ce∶YAP的生长研究
Ce∶YAP晶体具有优良的闪烁性能,其主要特点是光产额大,衰减时间短,发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配,在γ射线探测、核医学等方面有着广阔的应用前景.我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的Ce∶YAP晶体,成功地解决了在生长过程中出现的晶体开裂及孪晶问题,并对晶体生长过程中的爬料、纯YAP晶体着色等现象作了讨论.X射线激发发射谱表明晶体的发射峰在388nm,吸收测试则显示晶体在254nm、366nm处有两个吸收峰.
Ce∶YAP、闪烁晶体、提拉法晶体生长、X射线激发发射谱、吸收谱
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O782.5(晶体生长)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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