Ce:YAP晶体生长和光谱性质

摘要：

本文报道了用中频感应加热提拉法生长Ce:YAP晶体,晶体尺寸为35mm×80mm.在部分晶体中观察到了开裂、解理、孪晶、云层、核心和生长层等宏观缺陷,分析了缺陷与晶体生长温度梯度等因素的关系,对晶体样品进行了吸收光谱和荧光光谱分析.

关键词：Ce:YAP、闪烁晶体、晶体生长、缺陷观察、光谱分析

所属期刊栏目：31

分类号：O782.5(晶体生长)

资助基金：瑞士核子中心资助项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：54-57