YVO4晶体缺陷分析

摘要：

运用同步辐射白光X射线形貌术分析了YVO4的结构和缺陷行为,也观测了YVO4晶体(001)、(100)面的缺陷.发现在(001)面出现应力生长区、沿[100]方向的位错线以及晶体中镶嵌结构.运用白光形貌术拍摄到的劳埃斑,证明晶体为四方晶系.确定了小角晶界是引起多晶的主要原因.采用电子探针仪分析了散射颗粒形成是由杂质铁和铝的引入造成.

关键词：YVO4晶体、缺陷、同步辐射白光X射线形貌术、电子探针仪

所属期刊栏目：31

分类号：O774(晶体缺陷)

资助基金：国家自然科学基金60047003

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：14-17