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10.3969/j.issn.1000-985X.2001.04.012

碲镉汞晶体组分及其均匀性控制研究

引用
本文利用碲镉汞膺二元固液T-X相图对碲镉汞晶体生长方法进行了分类研究;分析了影响碲镉汞晶体组分及其均匀性的因素,提出了存在的问题和改善的措施;认为在特定组分的固相线温度(相图中的B点)生长碲镉汞晶体是一种比较有效的方法,并报道了采用双相复合维持液相成份生长大直径40mm碲镉汞晶体组分控制研究的结果(在S≈12cm2的晶片面积上,x=0.218±0.003).

碲镉汞、组分、均匀性

30

O78(晶体生长)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

383-388

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1000-985X

11-2637/O7

30

2001,30(4)

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