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10.3969/j.issn.1000-985X.2001.03.011

过饱和温度和降温速率对BBO晶体浓度边界层厚度的影响

引用
浓度边界层是晶体生长过程中分析界面输运现象的重要元素.我们从实验角度研究了扩散机制下的BaB2O4单晶生长中过饱和温度和降温速率对浓度边界层厚度的影响.过饱和温度和浓度边界层厚度之间为抛物线关系,降温速率和浓度边界层厚度变化率之间为线性关系.

过饱和温度、降温速率、溶质边界层、界面输运

30

O791(晶体物理化学过程)

国家攀登计划攀95-预-34;国家自然科学基金59832080

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

280-283

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人工晶体学报

1000-985X

11-2637/O7

30

2001,30(3)

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