10.3969/j.issn.1000-985X.2001.03.011
过饱和温度和降温速率对BBO晶体浓度边界层厚度的影响
浓度边界层是晶体生长过程中分析界面输运现象的重要元素.我们从实验角度研究了扩散机制下的BaB2O4单晶生长中过饱和温度和降温速率对浓度边界层厚度的影响.过饱和温度和浓度边界层厚度之间为抛物线关系,降温速率和浓度边界层厚度变化率之间为线性关系.
过饱和温度、降温速率、溶质边界层、界面输运
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O791(晶体物理化学过程)
国家攀登计划攀95-预-34;国家自然科学基金59832080
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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