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10.3969/j.issn.1000-985X.2001.03.001

负离子配位多面体生长基元与晶体表面结构(Ⅲ)

引用
本文用负离子配位多面体生长基元理论模型讨论了多型性晶体表面螺旋结构的形成,提出在多型性晶体中配位多面体呈层状分布,配位多面体的面为层的边界,上、下层负离子配位多面体不是呈镜象对称的,在三方晶系和六方晶系的晶体中是沿晶轴a、b错开,上、下两层负离子配位多面体体呈交叉对应,从而达到稳定平衡.晶轴c与负离子配位多面体高次对称轴平行,配位多面体往界面叠合是绕着c轴转动的,其叠合轨迹为螺旋或同心环结构.从多型性晶体螺旋结构的规律性可以看出,晶体生长基元为负离子配位多面体,由于负离子配位多面体的面与呈现螺旋结构的晶面平行,所以生长速率慢,是一个显露面积大的稳态面.螺旋结构只是在该面族上显露.

多型性晶体、螺旋结构、表面结构、负离子配位多面体、生长基元

30

O781(晶体生长)

国家自然科学基金5983080;中国科学院实验室基金

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

221-226

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人工晶体学报

1000-985X

11-2637/O7

30

2001,30(3)

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